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英特爾新版南橋晶片 導入覆晶基板

 

工商時報/科 技2/A13版   / 涂志豪/台北報導

整個覆晶基板大餅擴增二○至二五%,下半年供不應求情況將更顯著。 英特爾將於今年第四季推出的四五奈米Nehalem平台,由於處理器的單晶片新架構,已整合了部份北橋晶片功能,因此英特爾已與覆晶基板廠展開新合作案,Nehalem處理器採用覆晶基板層數將達十八層以上,較目前Penryn的十四層至十六層提升約一五%至二五%。再者,英特爾南橋晶片過去均採用閘球陣列基板(PBGA),但配合Nehal em平台的新款南橋Ibexpeak將導入六五奈米製程及覆晶封裝,所以今年下半年覆晶基板供不應求情況將更顯著。 英特爾於上週美國消費性電子展(CES)中,一口氣推出十六款四五奈米Penryn世代處理器,預計三月後大量出貨,由於Penryn處理器採用新款X66版本覆晶基板,主要層數介於十四層(5x4x5)至十六層 (6x4x6)間,目前英特爾合作覆晶基板廠如揖斐電(Ibiden)、新光電氣(Shinko)、日本特殊陶業(NGK Spark Plug)、南亞電路板等,首季接單持續滿載,產能利用率高達九五%以上。 英特爾Penryn世代仍採取處理器/北橋/南橋等三晶片微架構,但年底要推出的Nehalem世代,則已進入單晶片微架構,處理器將整合部份北橋晶片功能,再將部份北橋晶片功能整合進南橋晶片中。所以 Nehalem平台的南橋將改為新版PCH(Platform Controller Hub)架構,首顆晶片核心代號命名為Ibexpeak,將採用六五奈米及覆晶封裝。 市場原本認為,英特爾微架構由三顆改為二顆後,對覆晶基板需求將大減,但實際上則不然。基板廠商指出,Nehalem處理器整合了北橋晶片功能後,因為單晶片需要更多的I/O接腳,所以Nehalem的四核心晶片如Lynnfield及Clarksfield,覆晶基板應用層數最少將由十八層(7x4x7)起跳,若是繪圖晶片核心整合進去的雙核心晶片如Have ndale及Auburndale,基板最多則來到二十層(7x6x7),且層數增加將會帶來二成左右的產能自然耗減率,同時,新款南橋Ibexpeak也確定改採六層覆晶基板。 整體來算,整個覆晶基板大餅擴增了二○%至二五%,若上半年覆晶基板廠擴產幅度不及二成,下半年一定會出現缺貨問題。只不過,覆晶基板廠經歷了過去二年的供給過剩惡夢,現在除非英特爾確定下單,才會開始進行擴產,如南電至今仍暫緩大擴產能計劃就是個很好的案例,若以揖斐電、新光電氣、日本特殊陶業、南電等四家業者今年初定下的擴產計劃來看,今年產能只會較去年提高一五%,所以外資分析師均認為,覆晶基板下半年缺貨問題將在第二季開始發酵。 更多新聞請看「工商時報

資料來源 摘自:全球華文行銷知識庫

資料來源 :1758網誌

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